Infrarot-Strahler

IR Strahler

Unsere IR Strahler sorgen für zuverlässige und präzise Messergebnisse in der NDIR-Gasanalyse. Für jede Anwendung haben wir die optimale Kombination von Engineering- und Packaging-Technologien und MEMS Emitter-Chips, produziert in eigenen Fabs.

Micro-Hybrid JSIR-Emitter sind NAC oder C-MOSI® MEMS-basierte Infrarot-Strahler mit echten Schwarzkörper Strahlungseigenschaften. Von Economy IR-Emittern für Massenanwendungen bis hin zu High-End Strahlungsquellen für anspruchsvolle Messaufgaben, decken unsere JSIR Strahler alle Anwendungsbereiche der Messung und Überwachung von Gaskonzentrationen ab.

Verschiedene Chipgrößen oder -technologien? Wir beraten Sie gern.

Benefits

Harsh environments

HermeSEAL® hermetische Versiegelung › Einsatz in rauen Umgebungen, Backfilling mit verschiedenen Gasen für mehr Effizienz

Hohe Emissivität

durch hohe Membrantemperaturen › gute spektrale Emission; Echte Schwarzkörperstrahlung

Lange Lebensdauer

Zuverlässigkeit durch hohe Stabilität der Membran

Individuell

kundenspezifische Anpassungen: Filter, Füllgase, etc.; Economy - Premium - High-End Produkte

IR Strahler im Überblick

HermeSEAL® Technology

Dieser einzigartiger Packaging-Prozess wurde entwickelt von Micro-Hybrid in Kooperation mit Jenoptik: Durch Löten eines metallisierten Filters auf den Reflektor oder die Kappe entstehen hermetisch dichte IR Strahler mit hoher Effizienz. Dadurch können HermeSEAL®-Emitter auch in rauen Umgebungen für welche herkömmliche IR Komponenten nicht geeignet sind. Dazu gehören u.a. hohe Temperaturen oder auch hohe Luftfeuchtigkeit.

Skizze zum Aufbau der HermeSEAL Technology

Vorteile

  • Erhöhte Lebensdauer durch Reduktion von Oxidationsprozessen
  • Backfilling mit unterschiedlichen Gasen zur Variation der Strahlungsleistung und Zeitkonstante
  • Hohe Sicherheit für explosionsgeschützte Anwendungen
  • Ideal für Batterie- oder Stand-Alone-Anwendungen mit geringer Stromversorgung

JSIR 340 – C-MOSI® basierte Economy IR-Emitter

Der in unseren Infrarot-Strahlern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall-C-MOSI®-Schicht enthält. Der Emitterchip basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit Standard-MEMS-Prozessen und CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt. Die aktive C-MOSI®-Widerstandsschicht ist gegen Alterungseinflüsse und Umwelt geschützt.

Schema Skizze Aufbau des JSIR 350

Vorteile

  • Kostengünstige Komponenten: Standard MEMS-Technologien und CMOS-kompatibel
  • Effektive automatische Montage-Prozesse möglich durch SMD-Gehäuse
  • Membrantemperaturen bis zu 800° C für optimale Strahlungsleistung
  • Hohe Modulationstiefe durch geringe thermische Masse

JSIR 350 – NAC basierte Premium IR-Emitter

JSIR 350 sind MEMS-basierte Infrarot-Strahler, gekennzeichnet durch eine besonders hohe Strahlungsleistung. Durch die Kombination von Standard-Silizium-Werkstoff-Technologie mit NAC-Beschichtungen bietet Micro-Hybrid eine neue Generation von IR MEMS-Produkten mit außergewöhnlicher Leistung. Die JSIR Emitter der Klasse 350 eignen sich besonders für Gasanalyse-Anwendungen in Bereichen wie Biotechnologie, Industrie und Landwirtschaft.

Schema zum Aufbau des JSIR 350

Vorteile

  • Erhöhte Lebensdauer durch Reduktion von Oxidationsprozessen
  • Backfilling mit unterschiedlichen Gasen zur Variation der Strahlungsleistung und Zeitkonstante
  • Hohe Sicherheit für explosionsgeschützte Anwendungen
  • Ideal für Batterie- oder Stand-Alone-Anwendungen mit geringer Stromversorgung

JSIR 360 – High-End Black Silicon IR-Emitter

Hochwertige MEMS-basierte Infrarot-Strahlungsquellen für die NDIR-Gasanalyse in der Medizintechnik sowie anspruchsvollen Anwendungen der Biotechnologie, Industrie und Landwirtschaft. Der in unseren Infrarot-Strahlern verwendete MEMS-Chip besteht aus einer mehrschichtigen Heizplattenmembran, die eine hochtemperaturstabile Metall-Heater-Schicht sowie fortschrittliche Siliciummetall-Mikro-Nano-Strukturoberflächen enthält. Eine abschließende Passivierungsschicht garantiert eine langfristige Stabilität des Emissionsverhaltens bei Heizplattentemperaturen bis 850° C. Der Emitterchip basiert auf einem Siliziumsubstrat mit einer rückseitig geätzten Membran. Alle Dünnschichtprozesse werden mit CMOS-kompatiblen Materialien durchgeführt.

Schema Skizze Black Silicon Emission Layer

Vorteile:

  • Echte Schwarzkörperstrahlung
  • Höchste Strahlungsintensitäten durch Heizplattentemperaturen bis 850° C in Kombination mit dem Emissionskoeffizienten Ɛ ~ 1
  • Lange Lebensdauer durch thermisch-mechanisch angepasste Membran
  • Driftfreies spektrales Verhalten; auch in hermetisch verschlossenen Gehäusen